[发明专利]静电吸附电极及其制造方法和基板处理装置有效
| 申请号： | 201010185980.9 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101901778A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木芳彦;南雅人;古屋敦城 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;陈立航 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种静电吸附电极及其制造方法和基板处理装置，该静电吸附电极不产生耐电压性能的问题而较薄地形成绝缘覆膜，又能够确保所需吸附力，不需要消除电荷。在具备利用静电力来吸附保持玻璃基板(G)的基板保持面的静电吸附电极(6)中，具备通过喷镀形成的被设置于基材(5)上的绝缘覆膜(41)以及被设置于绝缘覆膜(41)中的、被施加正电压的第一电极层(42a)和被施加负电压的第二电极层(42b)。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 吸附 电极 及其 制造 方法 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种静电吸附电极，具备利用静电力来吸附保持基板的基板保持面，该静电吸附电极的特征在于，具备：被设置于基材上通过喷镀而形成的绝缘覆膜；以及被设置于上述绝缘覆膜中的第一电极层和第二电极层，其中，上述第一电极层被施加正电压，上述第二电极层被施加负电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010185980.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
