[发明专利]一种碳纳米管网络结构存储器及其制备方法

摘要

本发明属于微电子技术领域，具体为一种碳纳米管网络结构存储器及制备方法。该存储器包括：以硅为衬底，衬底表面氧化形成二氧化硅绝缘层，在绝缘层上淀积源极、漏极两个电极，两个电极具有一定的间距，利用光刻胶在两个电极之间刻蚀一定长宽的窗口，窗口的长度为两电极间距，在此窗口中淀积一层碳纳米管形成碳纳米管网络通路，并与两端的电极形成接触。通过在衬底(背栅)施加正负电压来实现数据的存储与擦除，测量源极、漏极的电流来实现存储数据读出。该器件结构简单，易于制作与集成。

主权项

一种碳纳米管网络结构存储器，其特征在于：存储器以硅为衬底，在衬底表面是氧化形成的二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层上淀积有源极和漏极两个电极；所述两个电两个电极之间具有间距，利用光刻胶在两个电极之间刻蚀有一窗口，窗口的长度为两电极间距，在该窗口中淀积有一层碳纳米管形成的碳纳米管网络通路，并与两端的电极形成接触。