[发明专利]非晶硅/晶硅异质结太阳能电池制备方法

摘要

本发明属于太阳能电池器件制备技术领域，涉及一种非晶硅/晶硅异质结太阳能电池及其制备方法。本发明对制备好铝背电极的单晶硅片进行绒面处理后，用用NH3处理单晶硅表面，然后再进行本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜、透明导电薄膜的沉积，最后再制备Ag栅极。使用本发明制作的太阳能电池结构简单，并且工艺程序不复杂；另外利用NH3处理单晶硅表面，降低界面隙态密度，有效提高界面质量；采用丝网印刷快速热退火形成铝背电极，代替了在背面沉积高掺杂非晶硅薄膜，避免了在双面沉积过程中不同掺杂类型带来的交叉污染和界面破坏，易于实现。

主权项

非晶硅/晶硅异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，制备步骤为：(1)用RCA方法清洗双面抛光p(n)型单晶硅片；(2)以SA-6070号铝浆作为原料，在上述已清洗单晶硅片背面丝网印刷铝浆，然后在通氧条件下，700℃±20℃快速热退火1～2min，形成有欧姆接触的金属Al背电极；(3)用1％～2％HF溶液清洗已有铝背电极的p(n)型单晶硅片，经大量去离子水冲洗后，放入腐蚀液进行绒面制备，腐蚀不少于25min后取出单晶硅片，并用大量去离子水冲洗；(4)迅速将经氮气风干的单晶硅片放入PECVD真空室中，真空室本底真空度为3～6×10-4Pa，用NH3处理单晶硅表面；(5)在硅片温度为200℃～220℃条件下，以硅烷为反应气体，在上述经NH3处理的p(n)型单晶硅片上沉积厚度为5～10nm的本征非晶硅薄膜；(6)以磷烷和硅烷或硼烷和硅烷为反应气体，在上述的本征非晶硅薄膜/p(n)型单晶硅上，沉积厚度为18～25nm的n(p)型掺杂非晶硅薄膜；(7)在上述n(p)型掺杂非晶硅薄膜/本征非晶硅薄膜/p(n)型单晶硅上沉积厚度为80～100nm，透过率≥85％，方块电阻为30～50Ω的透明导电薄膜；(8)在上述透明导电膜上制备Ag栅极。