[发明专利]一种改性CaBi2Nb2O9铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法

摘要

本发明属于压电陶瓷领域，具体涉及一种改性CaBi2Nb2O9铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法。该改性CaBi2Nb2O9铋层状结构压电陶瓷材料得组成通式表示为：(SmxBi2-xO2)2+(SryCa1-y-zBizNb2-m-nTamWnO7)2-，式中0≤x≤0.5，0≤y≤0.2，0≤z≤0.2，0≤m≤0.2，0≤n≤0.3。本发明的改性CaBi2Nb2O9铋层状结构压电陶瓷材料的主要性能为：d33≥12pC/N，tanδ≤0.50％，Tc≥916℃，ρv(500℃)≥108Ω·cm，ρv(600℃)≥107Ω·cm，可以满足高温480-550℃范围内反复使用。利用这种材料制得的陶瓷元件，组装成各种压电传感器，可以在极端高温条件下的测量、探测与自动控制等方面获得广泛应用。

主权项

一种改性CaBi2Nb2O9铋层状结构压电陶瓷材料，其组成通式表示为：(SmxBi2 xO2)2+(SryCa1 y zBizNb2 m nTamWnO7)2 ，式中0≤x≤0.5，0≤y≤0.2，0≤z≤0.2，0≤m≤0.2，0≤n≤0.3。