[发明专利]一种硅提纯的方法无效
| 申请号： | 201010190230.0 | 申请日： | 2010-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102260909A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 沈益顺;司雷;彭少波;吴志能 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06;C22B3/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅的提纯方法，步骤包括将原料硅与铝及金属添加剂混合得混合物，混合物加热熔融，于1350～1750℃保持0.5～20小时，后降温到500～650℃析出硅，得提纯硅；其中，原料硅与铝的质量比为1∶0.4～1∶5，金属添加剂为钛和/或钒。能有效去除原料硅中的杂质硼，硼的去除率高达99％以上，且杂质硼含量越高，硼的去除率越高，去除效率强，能有效降低原料硅中硼含量。而且能降低其他杂质的含量，使原料硅的纯度达到4～5N，为冶金法制备太阳能级多晶硅提供低成本、高性能的原料。而且本发明的硅的提纯方法能耗小，成本少，与等离子体除硼相比，能耗降低80％，成本降低60％，且设备简单、投资少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提纯 方法 | ||
【主权项】：
一种硅提纯的方法，其特征在于，步骤包括将原料硅与铝及金属添加剂混合得混合物，混合物加热熔融，于1350～1750℃保持0.5～20小时，后降温到500～650℃析出硅，得提纯硅；所述原料硅与铝的质量比为1∶0.4～1∶5，所述金属添加剂为钛和/或钒。
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