[发明专利]集成电路的制造方法有效
| 申请号： | 201010192827.9 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102142367A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡方文;黄靖宇;林舜武;陈立勋;许光源 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供集成电路的制造方法，在一实施例中，此方法包括提供基底，于基底之上形成硬掩模层，于硬掩模层之上形成图案化光致抗蚀剂层，使得部分的硬掩模层暴露出来，以干蚀刻工艺移除暴露出来的硬掩模层，使用氮气等离子体灰化与氢气等离子体灰化其中至少一种方式移除图案化光致抗蚀剂层，以及用湿蚀刻工艺移除剩余的硬掩模层。本发明使用含有硅氧烷高分子的硬掩模层可改善间隙填充能力和/或光致抗蚀剂附着力。含有硅氧烷高分子的硬掩模层不需要实施氧气等离子体处理去提升蚀刻选择比，或不需要使用含氟的湿蚀刻溶液，即可以被移除。可以避免高介电常数介电质以及金属栅极受到损坏，避免层间介电层的介电常数降低，和避免层间介电层损失。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供一基底；形成一硬掩模层于该基底之上；形成一图案化光致抗蚀剂层于该硬掩模层之上，使得该硬掩模层的一部分暴露出来；以一干蚀刻工艺移除该硬掩模层暴露出来的该部分；利用氮气等离子体灰化与氢气等离子体灰化的其中至少一种移除该图案化光致抗蚀剂层；以及以一湿蚀刻工艺移除该硬掩模层剩余的部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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