[发明专利]具有跨接电极的发光二极管模组及其制造方法无效
申请号: | 201010194668.6 | 申请日: | 2010-06-07 |
公开(公告)号: | CN102270652A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 林志胜;郑舜鸿 | 申请(专利权)人: | 晶发光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L21/782 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;王璐 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种具有跨接电极的发光二极管模组及其制造方法,所述发光二极管模组包括:一基板、二个彼此间隔地位于该基板上的发光二极管、一绝缘层以及一跨接电极。所述二个发光二极管的相向的表面为阶梯状表面,该绝缘层披覆在所述阶梯状表面上,因此也呈现阶梯状的薄膜型态。该跨接电极披覆在该绝缘层的表面,而且该跨接电极的两侧分别连接其中一个发光二极管的n电极以及另一个发光二极管的p电极。所述阶梯面设计使本发明能以厚度较薄的绝缘层来供该跨接电极披覆,进而提升发光二极管的侧向出光比例及整体发光效率。 | ||
搜索关键词: | 具有 电极 发光二极管 模组 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种具有跨接电极的发光二极管模组,包括:一个基板、彼此间隔地位于该基板上的一个第一发光二极管与一个第二发光二极管、一个绝缘层以及一个跨接电极,该第一发光二极管及该第二发光二极管都包括一个发光本体、一个n电极以及一个p电极,所述发光本体包括左右相连接的一个第一区块与一个第二区块,而且该第一发光二极管的第一区块相邻于该第二发光二极管的第二区块,所述第一区块都包括一个n侧顶面,所述第二区块都包括一个p侧顶面,其特征在于,该第一发光二极管的第一区块还包括一个由该n侧顶面的一端朝该基板延伸的第一阶梯面,该第一阶梯面具有二个由上往下逐渐朝该第二发光二极管的方向斜向延伸的第一斜面部,以及一个连接在所述第一斜面部间的第一连接面部,该第二发光二极管的第二区块还包括一个由该p侧顶面的一端朝该基板延伸的第二阶梯面,该第二阶梯面具有至少二个由上往下逐渐朝该第一发光二极管的方向斜向延伸的第二斜面部,以及至少一个连接在所述第二斜面部间的第二连接面部,所述n电极与所述p电极分别设置在所述n侧顶面及所述p侧顶面上;该绝缘层顺着该第一阶梯面及该第二阶梯面的阶梯状表面而披覆,且该绝缘层的两侧分别接触该第一发光二极管的n电极及该第二发光二极管的p电极,该跨接电极披覆在该绝缘层的表面,且该跨接电极的两侧分别连接该第一发光二极管的n电极及该第二发光二极管的p电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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