[发明专利]混频电路无效
| 申请号： | 201010194757.0 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102025323A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 金永镇;罗一淏;郑椿植;孙成荣;李承鈱;黄明运 | 申请（专利权）人： | 芯光飞株式会社 |
| 主分类号： | H03D7/12 | 分类号： | H03D7/12;H04B1/40 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽;唐秀萍 |
| 地址： | 韩国京畿道城南市盆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种通过源极耦合MOS晶体管而将两个输入信号进行混频后输出的混频电路，其特征在于，在源极耦合MOS晶体管的各源极端上串联连接占空比控制用MOS晶体管，在所述占空比控制用MOS晶体管的栅极上施加占空比控制用控制脉冲，所述占空比控制用控制脉冲相对于与其占空比控制用MOS晶体管串联连接的源极耦合MOS晶体管的栅极上所施加的控制脉冲而言具有-90度相位差，且可以将串联连接的两个MOS晶体管的栅极上所施加的控制脉冲的与(AND)组合占空比控制在25％，相比于现有的具有50％的开关控制占空比的混频电路，可达到增加增益且减少噪声系数的改善效果。 | ||
| 搜索关键词： | 混频 电路 | ||
【主权项】：
一种通过源极耦合MOS晶体管而将两个输入信号进行混频后输出的混频电路，其特征在于，占空比控制用MOS晶体管，串联连接于源极耦合MOS晶体管的各源极端，在所述占空比控制用MOS晶体管的栅极上施加占空比控制用控制脉冲，所述占空比控制用控制脉冲相对于与所述占空比控制用MOS晶体管串联连接的源极耦合MOS晶体管的栅极上所施加的控制脉冲具有‑90度相位差，且将串联连接的两个MOS晶体管的栅极上所被施加的控制脉冲的与组合占空比控制在25％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯光飞株式会社，未经芯光飞株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010194757.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
