[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010194935.X | 申请日： | 2010-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102280551A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 赖志成 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管及其制造方法，包括以下步骤：提供一第一衬底，并于所述第一衬底一侧表面、沿所述第一衬底的高度方向依次向外延伸形成一n型氮化镓层、一发光量子阱层、一p型氮化镓层；于所述p型氮化镓层外侧表面、沿其高度方向形成一第二衬底；剥离所述第一衬底，使n型氮化镓层外露，并于外露的n型氮化镓层的外表面上形成一接触面；提供一透明导电层，并使所述透明导电层位于所述接触面上，提供至少一电极，将所述电极固定于所述透明导电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括一导电衬底、自该导电衬底的一侧表面沿高度方向依次排列的一p型氮化镓层、一发光量子阱层及一n型氮化镓层，其特征在于：所述n型氮化镓层于远离p型氮化镓层的外侧表面上形成一接触面，一透明导电层固定于所述接触面上，至少一电极设置于所述透明导电层上。
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