[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201010194978.8 | 申请日： | 2010-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101937902A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 小田典明 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。半导体器件包括：半导体基板；层间绝缘膜，该层间绝缘膜被提供在半导体基板上；由被提供在互连沟槽即第二互连沟槽中的金属膜组成的互连即第二铜互连和由被提供在耦接到互连沟槽的连接孔即通孔中的金属膜组成的栓塞，互连和栓塞都被提供在层间绝缘膜中；第一侧壁，该第一侧壁被提供在通孔的侧表面上；以及第二侧壁，该第二侧壁被提供在第二互连沟槽的侧表面上，并且通孔的侧表面的底部附近的第一侧壁的厚度大于第二互连沟槽的侧表面的底部附近的第二侧壁的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基板；层间绝缘膜，所述层间绝缘膜被提供在所述基板的上方，由被提供在互连沟槽中的金属膜组成的互连和由被提供在耦接到所述互连沟槽的连接孔中的金属膜组成的栓塞，所述互连和所述栓塞被提供在所述层间绝缘膜中；第一侧壁，所述第一侧壁被提供在所述连接孔的侧表面的上方；以及第二侧壁，所述第二侧壁被提供在所述互连沟槽的侧表面的上方，其中所述连接孔的侧表面的底部附近的所述第一侧壁的厚度大于所述互连沟槽的侧表面的底部附近的所述第二侧壁的厚度。
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