[发明专利]晶片双流体清洗装置无效
申请号: | 201010195947.4 | 申请日: | 2010-06-10 |
公开(公告)号: | CN101850343A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 袁立伟;王仲康;杨生荣;王欣 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十五研究所 |
主分类号: | B08B3/02 | 分类号: | B08B3/02;H01L21/304 |
代理公司: | 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司 13100 | 代理人: | 张贰群 |
地址: | 065201 河北省三河市*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供一种晶片双流体清洗装置,涉及对半导体专用设备用的晶片清洗装置技术领域。设有摆动竖杆,摆动竖杆设有净化空气入口、去离子水入口和气雾喷口;摆动竖杆和摆动装置相连。本发明能有效解决现有技术中存在的问题,具有清洗质量和效率高、结构紧凑、体积小、使用方便灵活等特点;喷嘴可左右摆动,均匀的清洗晶片表面;旋转精度高,寿命长,便于加工制造;可形成即干性微小粒子代替水流进行清洗;可调整喷嘴旋转的角度和起始位置;气雾的大小和力量可通过调整水和气的流量和压力来调节,可实现不同的清洗效果;可靠性和稳定性好。 | ||
搜索关键词: | 晶片 双流 清洗 装置 | ||
【主权项】:
一种晶片双流体清洗装置,其特征在于设有摆动竖杆(10),摆动竖杆(10)设有净化空气入口(10-1)、去离子水入口(9-1)和气雾喷口(9-2);摆动竖杆(10)和摆动装置相连。
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