[发明专利]半导体器件以及制造所述半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201010196500.9 | 申请日： | 2010-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101908525A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 青木武志 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L27/146;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 杨国权 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件以及制造所述半导体器件的方法。该半导体器件包括：半导体基板和布置在所述半导体基板上的多层配线结构，所述多层配线结构包括：多个第一导电线；绝缘膜，覆盖所述多个第一导电线；以及第二导电线，布置在绝缘膜上，从而与所述多个第一导电线交叉，其中，所述绝缘膜在所述多个第一导电线与所述第二导电线彼此交叉的多个区域的至少一些中具有间隙，以及该间隙在沿着所述第二导电线的方向的宽度不大于所述第一导电线的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体基板；以及多层配线结构，被布置在所述半导体基板上，所述多层配线结构包括：多个第一导电线；绝缘膜，覆盖所述多个第一导电线；以及第二导电线，被布置在所述绝缘膜上，从而与所述多个第一导电线交叉，其中，所述绝缘膜在所述多个第一导电线与所述第二导电线彼此交叉的多个区域的至少一些区域中具有间隙，以及所述间隙在沿着所述第二导电线的方向的宽度不大于所述第一导电线的宽度。
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