[发明专利]包括具有互相耦合的晶体管的集成电路的电子器件

摘要

一种包括具有互相耦合的晶体管的集成电路的电子器件，可包括隐埋传导区和覆盖在所述隐埋传导区之上的半导体层，其中所述半导体层具有主表面和更接近于隐埋传导区的相对的表面。电子器件也可包括相互间隔开的第一掺杂区和第二掺杂区，其中每个掺杂区在半导体层中并且离主表面比离相对的表面更近。电子器件可包括晶体管的载流电极。特定晶体管的载流电极包括第一掺杂区，且为源极或发射极，并被电连接到隐埋传导区。不同晶体管的另一个载流电极包括第二掺杂区，且为漏极或集电极，并被电连接到隐埋传导区。

主权项

一种包括集成电路的电子器件，包括：隐埋传导区；半导体层，其覆盖在所述隐埋传导区之上，其中所述半导体层具有主表面和相对的表面，以及所述隐埋传导区的位置离所述相对的表面比离所述主表面更近；所述半导体层中的第一掺杂区，其中：所述第一掺杂区的位置离所述主表面比离所述相对的表面更近；以及第一晶体管的第一载流电极包括所述第一掺杂区，其中所述第一载流电极为源极或发射极并被电连接到所述隐埋传导区；以及所述半导体层中的第二掺杂区，其中：所述第二掺杂区的位置离所述主表面比离所述相对的表面更近；以及第二晶体管的第二载流电极包括所述第二掺杂区，其中所述第二载流电极为漏极或集电极并被电连接到所述隐埋传导区。