[发明专利]一种致密PbSe多晶薄膜的简单制备方法有效
| 申请号： | 201010197178.1 | 申请日： | 2010-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101871097A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 马德伟;程成;严金华 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;H01L31/0312;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 黄美娟;俞慧 |
| 地址： | 310014 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种致密PbSe多晶薄膜的简单制备方法，所述制备方法是：以硒粉为硒源，以PbO为铅源，以碳粉作为还原剂，在570-1000℃的温度条件下通过热还原法制备得到所述的PbSe多晶薄膜。本发明所述PbSe多晶薄膜的制备方法操作简单、成本低廉、绿色环保，制得的PbSe多晶薄膜结晶质量良好，薄膜的致密度、平整度良好，颗粒大小均匀，为将来批量生产PbSe多晶薄膜提供了一种重要方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 致密 pbse 多晶 薄膜 简单 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种致密PbSe多晶薄膜的制备方法，其特征在于所述制备方法是：以硒粉为硒源，以PbO为铅源，以碳粉作为还原剂，在570-1000℃的温度条件下通过热还原法制备得到所述的PbSe多晶薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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