[发明专利]Cu-Ga合金、溅射靶、Cu-Ga合金的制造方法以及溅射靶的制造方法无效
| 申请号： | 201010198841.X | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101906552A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 平本雄一;外木达也 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C22C28/00;C22C1/02;C23C14/14;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种Cu-Ga合金，溅射靶、Cu-Ga合金的制造方法以及溅射靶的制造方法。包括多个相，由重量百分比至少为40％、至多为60％的镓(Ga)以及由铜和无法避免的杂质组成的剩余部分所构成。所述的多个相包括含有重量百分比至少为80％镓(Ga)的偏析相，所述偏析相的体积占Cu-Ga合金总体积的比率不超过1％。所述的多个相包括含有重量百分比至少为40％、至多为60％镓(Ga)的微粒，所述的微粒的直径至少为0.1μm、至多30μm，所述微粒的体积占Cu-Ga合金总体积的比率不低于90％。 | ||
| 搜索关键词： | cu ga 合金 溅射 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种Cu Ga合金，其由多个相构成；所述Cu Ga合金中含有重量百分比至少为40％且至多为60％的镓，剩余部分由铜和无法避免的杂质组成；其中，所述的多个相中包括含有重量百分比至少为80％的镓的偏析相，并且所述的偏析相体积占所述Cu Ga合金的总体积的比率不超过1％。
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