[发明专利]阵列基板的结构及制造方法有效
申请号: | 201010200177.8 | 申请日: | 2010-06-08 |
公开(公告)号: | CN102280443A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 张弥 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种阵列基板的结构及制造方法,涉及显示技术领域,以解决CS电容中像素电极与公共电极之间距离较大,在CS充好电的情况下也不能保持控制液晶转向的电压恒定,使得液晶面板出现由于液晶两端电压变化所导致的灰阶异常问题,所述阵列基板包括基板,以及在基板上形成的栅极扫描线、数据扫描线、像素电极和第一薄膜晶体管,该第一薄膜晶体管的栅极与栅极扫描线相连、该第一薄膜晶体管的源极与数据扫描线相连、该第一薄膜晶体管的漏极与像素电极相连;还包括存储电容,所述存储电容的底电极与所述数据扫描线位于同一层面,所述存储电容的顶电极与所述像素电极位于同一层面。本发明实施例主要应用于显示领域,尤其适用于液晶显示面板。 | ||
搜索关键词: | 阵列 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括基板,以及在基板上形成的栅极扫描线、数据扫描线、像素电极和第一薄膜晶体管,该第一薄膜晶体管的栅极与栅极扫描线相连、该第一薄膜晶体管的源极与数据扫描线相连、该第一薄膜晶体管的漏极与像素电极相连;其特征在于,还包括:存储电容,所述存储电容的底电极与所述数据扫描线位于同一层面,所述存储电容的顶电极与所述像素电极位于同一层面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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