[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010202949.1 | 申请日： | 2010-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN102044611A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 丁焕熙;李尚烈;宋俊午;吴昌勋;崔熙石;崔光基 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/26;H01L33/62;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;吴鹏章 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件可包括发光结构、电极、欧姆层、电极层、粘合层和沟道层。所述发光结构可包括化合物半导体层。电极可设置在发光结构上。欧姆层可设置在发光结构下。电极层可包括在欧姆层下的反射金属。粘合层可设置在电极层下。沟道层可沿着发光结构的底部边缘设置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：粘合层；设置在所述粘合层上的电极层；设置在所述电极层上的欧姆层；和设置在所述欧姆层上的发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、设置于所述第一导电型半导体层上的有源层和设置于所述有源层上的第二导电型半导体层，其中沟道层沿着所述发光结构的底边缘设置在所述粘合层之上，和其中所述欧姆层的端部在所述沟道层下延伸。
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