[发明专利]高纯四氟化硅的制备方法有效
| 申请号： | 201010205743.4 | 申请日： | 2010-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101863478A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 桂思祥;李忠灿;潘慧娟;石平湘 | 申请（专利权）人： | 石平湘 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红;黄爽英 |
| 地址： | 528000 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯四氟化硅的制备方法，其包括如下步骤：四氟化硅生成工序，用质量比为1∶(10～15)∶(38～42)的二氧化硅、氟硅酸及浓硫酸反应，生成四氟化硅；四氟化硅提纯工序，生成的四氟化硅经气液分离、浓硫酸干燥及分子筛吸附处理得到高纯四氟化硅；硫酸生成工序，对四氟化硅生成工序中形成的含有氟化氢的废硫酸进行水蒸气蒸馏，生成的硫酸再回收利用到四氟化硅生成工序和四氟化硅提纯工序中；本发明的有益效果是：制备的四氟化硅纯度可达到99.9％，且可回收循环使用硫酸，减低了生产成本，且减少了废弃物量。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 氟化 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯四氟化硅的制备方法，其特征是：其包括如下步骤：(1)四氟化硅生成工序，用质量比为二氧化硅∶氟硅酸∶浓硫酸＝1∶(10～15)∶(38～42)反应，生成四氟化硅；(2)四氟化硅提纯工序，生成的四氟化硅经气液分离、浓硫酸干燥及分子筛吸附处理得到高纯四氟化硅；(3)硫酸生成工序，对四氟化硅生成工序中形成的含有氟化氢的废硫酸进行水蒸气蒸馏，生成的硫酸再回收利用到四氟化硅生成工序和四氟化硅提纯工序中。
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