[发明专利]一种多孔道结构ITO气敏材料固相合成的方法无效
| 申请号： | 201010207842.6 | 申请日： | 2010-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101905968A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 周晓龙;曹建春;陈敬超;阮进;于杰;杜焰;沈黎;吴大平 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/457;C04B35/622 |
| 代理公司： | 昆明正原专利代理有限责任公司 53100 | 代理人： | 金耀生 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明是一种多孔道结构ITO气敏材料固相合成的方法。将市售ITO粉装入钢模中，按压制压力为70-100MPa；保压2-5min，的条件压成素坯；将素坯放入烧结炉进行固相氧气氛烧结，烧结工艺为：升温速率控制在50-500℃/h，第一段温度范围控制在600-700℃，保温1-5小时；第二段温度范围控制在1300-1500℃，保温1-5小时后得多孔道结构ITO气敏材料。该方法通过对固相烧结温度的调控来获得孔型规整的微米及亚微米级孔道结构ITO气敏材料，以增大被测气体与气敏材料的接触面积；通过氧气氛来调控ITO气敏材料中配位缺陷的数量，以提高气敏材料的气敏性质；最终获得灵敏度高、选择性强的多孔道结构气敏材料。该方法具有原料准备简单、成本低、易控制、生产清洁等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 结构 ito 材料 相合 方法 | ||
【主权项】：
一种多孔道结构ITO气敏材料固相合成的方法，其特征在于按以下步骤进行：1)原料：市售ITO粉，粉末粒度在50 500nm之间，纯度达到99.995％；2)钢模压制：将市售ITO粉装入钢模中，按压制压力为70 100Mpa；保压2 5min，的条件压成素坯；3)将素坯放入烧结炉进行固相氧气氛烧结，烧结工艺为：升温速率控制在50 500℃/h，第一段温度范围控制在600 700℃，保温1 5小时；第二段温度范围控制在1300 1500℃，保温1 5小时后得多孔道结构ITO气敏材料。
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