[发明专利]非易失性半导体光折变存储器结构

摘要

本发明属于半导体光电子器件的技术领域。结构有光波导部分(100)，由半导体光波导(1)、上绝缘体介质(4)和下绝缘体介质(7)组成；浮栅部分(200)，由浮栅(2)、控制栅(3)、导电介质(5)和成对的电极(6)组成；其中浮栅(2)的位置在控制栅(3)和导电介质(5)中间，相互之间由上绝缘体介质(4)隔离；浮栅(2)与半导体光波导(1)相接触。本发明的结构使半导体光波导具有浮栅的电荷存储记忆功能；同时电荷对光波导的折射率有调制作用。应用于光开关，只是在光开关状态改变时，才需要外加脉冲能量来控制，将节省大量的能源。应用于光子微腔中，使得微腔中的谐振状态具有可记忆性。

主权项

一种非易失性半导体光折变存储器结构，结构由光波导部分(100)和浮栅部分(200)构成，其特征在于：所述的光波导部分(100)，由半导体光波导(1)、在半导体光波导(1)上方的上绝缘体介质(4)和在半导体光波导(1)下方的下绝缘体介质(7)组成；所述的浮栅部分(200)，由制作在上绝缘体介质(4)内的导电材料的浮栅(2)、导电材料的控制栅(3)、导电介质(5)和成对的电极(6)组成；其中浮栅(2)的位置在控制栅(3)和导电介质(5)中间，相互之间由上绝缘体介质(4)隔离；一个电极(6)与控制栅(3)接触，另一个电极(6)与导电介质(5)接触；浮栅(2)与半导体光波导(1)相接触。