[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板、显示器及其制造方法无效
申请号: | 201010212875.X | 申请日: | 2010-06-28 |
公开(公告)号: | CN101872773A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 胡君文;陈天佑;李林;洪胜宝;谢凡;何基强 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/13 | 分类号: | H01L27/13;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明;王宝筠 |
地址: | 516600 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板、显示器及其制造方法。该TFT阵列基板包括至少两个拼接区域,各拼接区域内的TFT图案中,漏极与栅极金属层均形成重叠区域,至少一个拼接区域内的TFT图案中,漏极从栅极金属层的第一边界延伸至与所述第一边界相对的第二边界的外部,所述漏极包括与所述栅极金属层形成的重叠区域以及延伸至所述栅极金属层第二边界外部的容余区域;各拼接区域内的重叠区域的面积差值小于阈值。通过改变拼接区域内TFT图案中漏极图案的形状,保证了各拼接区域内漏极与栅极金属层形成的重叠区域面积相差不大,从而减弱了各拼接区域显示亮度的差异,减少了曝光姆拉现象的产生。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 阵列 显示器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,包括至少两个拼接区域,各拼接区域内的薄膜晶体管TFT图案中,漏极与栅极金属层均形成重叠区域,至少一个拼接区域内的TFT图案中,漏极从栅极金属层的第一边界延伸至与所述第一边界相对的第二边界的外部,所述漏极包括与所述栅极金属层形成的重叠区域以及延伸至所述栅极金属层第二边界外部的容余区域;各拼接区域内的重叠区域的面积差值小于阈值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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