[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201010215854.3 | 申请日： | 2010-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN102299061A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 韩锴;王文武;王晓磊;马雪丽;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，本发明提供了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成界面层、栅介质层和金属功函数层；在所述金属功函数层上形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上形成金属吸氧层；对所述器件进行热退火处理，以使所述金属吸氧层吸除界面层中的氧，使界面层的厚度减小并且使所述扩散阻挡层阻止金属吸氧层中的吸氧金属扩散到所述金属功函数层中。通过本发明能够在减小界面层厚度的同时，阻止吸氧金属扩散进入功函数层和/或栅介质层，从而在不影响器件的阈值电压的前提下减少等效氧化层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成界面层、栅介质层和金属功函数层；在所述金属功函数层上形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上形成金属吸氧层；对所述器件进行热退火处理，以使所述金属吸氧层吸除界面层中的氧，使界面层的厚度减小并且使所述扩散阻挡层阻止金属吸氧层中的吸氧金属扩散到所述金属功函数层中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010215854.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：重叠沟槽式栅极半导体组件及其制作方法
- 下一篇：甲醇制备低碳烯烃的反应装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
