[发明专利]熔丝类晶圆修调参数的方法有效
申请号: | 201010216507.2 | 申请日: | 2010-06-30 |
公开(公告)号: | CN101937835A | 公开(公告)日: | 2011-01-05 |
发明(设计)人: | 岳小兵;刘远华;汤雪飞;祁建华;王锦;张志勇;叶守银;牛勇 | 申请(专利权)人: | 上海华岭集成电路技术有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L23/525 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的熔丝类晶圆修调参数的方法包括以下步骤:初始化变量β和i,创建临时数据文件;i=i+1;判断i是否小于等于L,如果为是,执行下一步骤,如果为否,结束本批次熔丝类晶圆的参数修调;测量第i个集成电路参数的初始值Vinit_i;判断所述临时数据文件中保存的参数的修调值的个数是否等于N,如果为是,计算差值Vtrim_i,Vtrim_i=Vinit_i-Vtarget+β,β=Vtarget-Vave_i,Vave_i等于所述临时数据文件中N个参数的修调值的平均值,如果为否,计算差值Vtrim_i,Vtrim_i=Vinit_i-Vtarget;选择修调理论值最接近差值Vtrim_i的熔丝组合作为要修整的熔丝组合,由熔断电路熔断相应的熔丝;测量第i个集成电路参数的修调值,并判断该参数的修调值是否符合要求;更新所述临时数据文件中的数据,返回上述i=i+1的步骤。 | ||
搜索关键词: | 熔丝类晶圆修调 参数 方法 | ||
【主权项】:
一种熔丝类晶圆修调参数的方法,其特征在于,包括以下步骤:初始化变量β和i,创建临时数据文件:所述变量i表示本批次熔丝类晶圆中的第i个集成电路,i=0,1,2,……,L,L为本批次熔丝类晶圆所包含的集成电路的总个数,所述临时数据文件用于保存集成电路修整熔丝后参数的修调值,所述变量β和i的初始化值都为0;i=i+1;判断i是否小于等于L,如果为是,执行下一步骤,如果为否,结束本批次熔丝类晶圆的参数修调;测量第i个集成电路参数的初始值Vinit_i;判断所述临时数据文件中保存的参数的修调值的个数是否等于N,N取大于等于100而小于L的整数,如果为是,计算差值Vtrim_i,Vtrim_i=Vinit_i‑Vtarget+β,β=Vtarget‑Vave_i,Vave_i等于所述临时数据文件中N个参数的修调值的平均值,如果为否,计算差值Vtrim_i,Vtrim_i=Vinit_i‑Vtarget,其中,Vinit_i为第i个集成电路参数的初始值,Vtarget为参数的目标值;选择修调理论值最接近差值Vtrim_i的熔丝组合作为要修整的熔丝组合,由熔断电路熔断相应的熔丝;测量第i个集成电路参数的修调值,并判断该参数的修调值是否符合要求;更新所述临时数据文件中的数据,返回上述i=i+1的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华岭集成电路技术有限责任公司,未经上海华岭集成电路技术有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010216507.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基于多通脉冲压缩器的兆赫兹光子晶体光纤超短脉冲激光器
- 下一篇:倒走后视镜
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造