[发明专利]一种半导体器件的制造方法

摘要

一种半导体器件的制造方法，该方法包括：提供前端器件层；在该前端器件层上沉积第一多晶硅层；在该第一多晶硅层上沉积多晶硅层间介质体；在该多晶硅层间介质体上沉积第二多晶硅层；对该第二多晶硅层进行刻蚀以形成控制栅；在该控制栅的侧壁上形成控制栅侧墙；对该第一多晶硅层进行刻蚀以形成浮栅；在该控制栅侧墙及该浮栅的侧壁上形成浮栅侧墙；和进行离子注入；其中离子注入在浮栅侧墙形成之后进行。通过本发明的方法制造的半导体器件，降低了浮栅的阈值电压，提高了擦除效率。

主权项

一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：a)提供前端器件层；b)在所述前端器件层上沉积第一多晶硅层；c)在所述第一多晶硅层上沉积多晶硅层间介质体；d)在所述多晶硅层间介质体上沉积第二多晶硅层；e)对所述第二多晶硅层进行刻蚀以形成控制栅；f)在所述控制栅的侧壁上形成控制栅侧墙；g)对所述第一多晶硅层进行刻蚀以形成浮栅；h)在所述控制栅侧墙及所述浮栅的侧壁上形成浮栅侧墙；和i)进行离子注入；其中所述离子注入在所述浮栅侧墙形成之后进行。