[发明专利]半导体器件处理方法无效

专利信息
申请号: 201010218315.5 申请日: 2010-06-28
公开(公告)号: CN101958247A 公开(公告)日: 2011-01-26
发明(设计)人: 浜中信秋;笠间佳子 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L21/3205 分类号: H01L21/3205;H01L21/60
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 孙志湧;穆德骏
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了半导体器件处理方法。通过等离子体预处理将被去除的绝缘膜区域,来实现对在层间绝缘膜中形成低k空气空隙的改良控制。通过掩模暴露想要的空气空隙区域同时用掩模遮蔽将被保留的膜区域。然后,使想要的空气空隙区域暴露到等离子体,以便在随后的处理中使其更易于去除。在绝缘膜的这两个区域中嵌入一个或多个Cu互连。然后,选择性去除在想要的空气空隙区域中的绝缘膜,以在那个区域中形成邻近Cu互连的空气空隙。
搜索关键词: 半导体器件 处理 方法
【主权项】:
一种制造半导体器件的方法,包括:在覆盖基板的绝缘膜上形成掩模;从所述绝缘膜的第一区域去除所述掩模,同时在所述绝缘膜的第二区域中留下所述掩模;在所述掩模遮蔽所述第二区域的同时使所述第一区域暴露到等离子体,以便通过随后的处理使所述第一区域更易于去除;从所述第二区域去除所述掩模膜;在所述第一区域和第二区域的每个中,形成至少一个金属互连;以及选择性去除所述第一区域,以形成与所述第一区域中形成的金属互连相邻的空气空隙,同时保留所述第二区域。
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