[发明专利]凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的集成电路及其制造方法无效
| 申请号： | 201010221408.3 | 申请日： | 2010-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN101894840A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 臧松干;刘昕彦;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/78;H01L29/10;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于集成电路技术领域，具体公开了一种半导体集成电路。该半导体集成电路包括一个栅控PNPN晶体管和一个MOS晶体管。所述集成电路中的栅控PNPN晶体管和MOS晶体管均采用凹陷型沟道结构，可在提高驱动电流的同时抑制漏电流的增加，即在降低芯片功耗的同时提高了芯片的性能。本发明还公开了所述半导体集成电路的制造方法。本发明所提出的半导体集成电路，特别适用于低功耗集成电路芯片的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 凹陷 沟道 pnpn 场效应 晶体管 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路，其特征在于，所述半导体集成电路包括至少一个半导体衬底、在所述半导体衬底上形成的一个栅控PNPN晶体管和一个MOS晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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