[发明专利]栅驱动晶闸管电路以及静电保护电路有效

专利信息
申请号: 201010221854.4 申请日: 2010-06-29
公开(公告)号: CN102315212A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 单毅;陈晓杰 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L27/06;H02H9/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了栅驱动晶闸管电路以及静电保护电路,所述栅驱动晶闸管电路包括:半导体衬底,位于半导体衬底内且相邻的N阱以及P阱;位于N阱内的第一N+型注入区;位于P阱内的第二N+型注入区;位于N阱上的PMOS晶体管,所述PMOS晶体管包括N阱表面的控制栅,位于控制栅两侧N阱内的P+型源区以及P+型漏区;所述漏区延伸至P阱内与之连接,且与所述第二N+型注入区相隔离;所述源区与第一N+型注入区相隔离;阳极,分别与所述第一N+型注入区、源区电连接;阴极,分别与所述P阱、第二N+型注入区电连接;栅驱动电路,包括分别在所述N阱与控制栅之间以及控制栅与阴极之间正向连接的二极管。本发明具有持续性降低晶闸管触发电压的能力。
搜索关键词: 驱动 晶闸管 电路 以及 静电 保护
【主权项】:
一种栅驱动晶闸管电路,其特征在于,包括:半导体衬底,位于半导体衬底内且相邻的N阱以及P阱;位于N阱内的第一N+型注入区;位于P阱内的第二N+型注入区;位于N阱上的PMOS晶体管,所述PMOS晶体管包括N阱表面的控制栅,位于控制栅两侧N阱内的P+型源区以及P+型漏区;所述漏区延伸至P阱内与之连接,且与所述第二N+型注入区相隔离;所述源区与第一N+型注入区相隔离;阳极,分别与所述第一N+型注入区、源区电连接;阴极,分别与所述P阱、第二N+型注入区电连接;栅驱动电路,包括分别在所述N阱与控制栅之间以及控制栅与阴极之间正向连接的二极管。
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