[发明专利]栅驱动晶闸管电路以及静电保护电路有效
申请号: | 201010221854.4 | 申请日: | 2010-06-29 |
公开(公告)号: | CN102315212A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 单毅;陈晓杰 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/06;H02H9/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了栅驱动晶闸管电路以及静电保护电路,所述栅驱动晶闸管电路包括:半导体衬底,位于半导体衬底内且相邻的N阱以及P阱;位于N阱内的第一N+型注入区;位于P阱内的第二N+型注入区;位于N阱上的PMOS晶体管,所述PMOS晶体管包括N阱表面的控制栅,位于控制栅两侧N阱内的P+型源区以及P+型漏区;所述漏区延伸至P阱内与之连接,且与所述第二N+型注入区相隔离;所述源区与第一N+型注入区相隔离;阳极,分别与所述第一N+型注入区、源区电连接;阴极,分别与所述P阱、第二N+型注入区电连接;栅驱动电路,包括分别在所述N阱与控制栅之间以及控制栅与阴极之间正向连接的二极管。本发明具有持续性降低晶闸管触发电压的能力。 | ||
搜索关键词: | 驱动 晶闸管 电路 以及 静电 保护 | ||
【主权项】:
一种栅驱动晶闸管电路,其特征在于,包括:半导体衬底,位于半导体衬底内且相邻的N阱以及P阱;位于N阱内的第一N+型注入区;位于P阱内的第二N+型注入区;位于N阱上的PMOS晶体管,所述PMOS晶体管包括N阱表面的控制栅,位于控制栅两侧N阱内的P+型源区以及P+型漏区;所述漏区延伸至P阱内与之连接,且与所述第二N+型注入区相隔离;所述源区与第一N+型注入区相隔离;阳极,分别与所述第一N+型注入区、源区电连接;阴极,分别与所述P阱、第二N+型注入区电连接;栅驱动电路,包括分别在所述N阱与控制栅之间以及控制栅与阴极之间正向连接的二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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