[发明专利]寄生晶闸管以及静电保护电路有效
| 申请号： | 201010221862.9 | 申请日： | 2010-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102315259A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 单毅;陈晓杰 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种寄生晶闸管以及静电保护电路，所述寄生晶闸管包括：半导体衬底；位于半导体衬底内且相邻的N阱以及P阱；位于半导体衬底表面且横跨于N阱以及P阱的第一伪栅；位于N阱表面的第二伪栅；位于第一伪栅以及第二伪栅之间N阱内的N型触发电压调整区；位于第二伪栅相对于N型触发电压调整区另一侧N阱内的P型注入区；位于第一伪栅另一侧P阱内的N型注入区；还包括阳极，连接至P型注入区以及N阱；阴极，连接至N型注入区以及P阱。本发明所述寄生晶闸管，导通电路形成于半导体衬底的表面区域内，因此路径较短，开启速度较快，且通过N型触发电压调整区外接触发电压调整电路，而具有调整降低触发电压的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 寄生 晶闸管 以及 静电 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种寄生晶闸管，其特征在于，包括：半导体衬底；位于半导体衬底内且相邻的N阱以及P阱；位于半导体衬底表面且横跨于N阱以及P阱的第一伪栅；位于N阱表面的第二伪栅；位于第一伪栅以及第二伪栅之间N阱内的N型触发电压调整区；位于第二伪栅相对于N型触发电压调整区另一侧N阱内的P型注入区；位于第一伪栅另一侧P阱内的N型注入区；还包括阳极，连接至P型注入区以及N阱；阴极，连接至N型注入区以及P阱。
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