[发明专利]双列直插式存储模块中的相变存储器有效
| 申请号： | 201010222395.1 | 申请日： | 2010-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN101957726A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 谢库费·卡瓦米;贾里德·E·赫尔伯特 | 申请（专利权）人： | 恒忆有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F13/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李敬文 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 本发明公开的主题涉及存储装置以及存储装置的管理系统和方法，该系统包括：双列直插式存储模块DIMM，包括一个或多个相变存储器PCM模块；电连接到所述系统的存储总线，其中所述PCM模块并行地电连接到所述存储总线；以及存储器，保持基本输入/输出系统BIOS，所述BIOS包括与所述PCM模块相对应的参数。存储装置包括：双列直插式存储模块DIMM，适于至少部分地基于动态随机存取存储器DRAM来进行电操作，其中所述DIMM包括一个或多个相变存储器PCM模块。 | ||
| 搜索关键词： | 双列直插式 存储 模块 中的 相变 存储器 | ||
【主权项】：
一种系统，包括：双列直插式存储模块DIMM，包括一个或多个相变存储器PCM模块；电连接到所述系统的存储总线，其中所述PCM模块并行地电连接到所述存储总线；以及存储器，保持基本输入/输出系统BIOS，所述BIOS包括与所述PCM模块相对应的参数。
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