[发明专利]半导体集成电路装置

摘要

本发明涉及半导体集成电路装置。SOI MOSFET被用于切换天线开关的晶体管，但显著减小谐波失真。将电容元件分别添加到构成天线开关的接收支路的通过MOSFET组的晶体管的相应的漏极或栅极。这使得在源极与栅极之间的电压振幅和在漏极与栅极之间的电压振幅彼此不同。结果，源极-漏极寄生电容的电压依赖性变成关于电压极性是不对称的。该不对称特性产生具有类似的不对称特性的信号失真。因此，通过设置它使得它具有与由衬底电容的电压依赖性引起的二次谐波相同的振幅和与之相反的相位可以实现以下：可以抵消二次谐波失真并且因此可以减小二次谐波失真。

主权项

一种半导体集成电路装置，包括：至少一个天线端子；至少一个发送端子；以及至少一个接收端子，并且设置有用于切换信号路径的天线开关，其中天线开关包括：第一晶体管组，耦接在天线端子与发送端子之间；第二晶体管组，耦接在天线端子与接收端子之间；第三晶体管组，耦接在发送端子与参考电位之间；第四晶体管组，耦接在接收端子与参考电位之间；以及第一电容元件，其中第一到第四晶体管组中的每个晶体管组包括串联耦接的一个或更多个晶体管，并且其中第一电容元件耦接在构成第一到第四晶体管组的晶体管中的至少一个晶体管的栅极与源极之间或者栅极与漏极之间。