[发明专利]一种半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201010223870.7 | 申请日： | 2010-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN102315269A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括，半导体基体，所述半导体基体位于绝缘层上；绝缘基体，所述绝缘基体位于所述绝缘层上并嵌于所述半导体基体中，所述绝缘基体以其具有的应力作用于所述半导体基体。一种半导体器件的形成方法，包括：在绝缘层上形成半导体基底；在所述半导体基底内形成空腔，所述空腔暴露所述绝缘层；在所述空腔中形成绝缘基体，所述绝缘基体以其具有的应力作用于所述半导体基底。利于减小短沟道效应、源漏区电阻及寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括，半导体基体，所述半导体基体位于绝缘层上；源漏区，所述源漏区接于所述半导体基体中相对的第一侧面；栅极，所述栅极位于所述半导体基体中相对的第二侧面上；其特征在于，还包括：绝缘基体，所述绝缘基体位于所述绝缘层上并嵌于所述半导体基体中，所述绝缘基体以其具有的应力作用于所述半导体基体。
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