[发明专利]具有BTS结构的SOIMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201010225623.0 | 申请日： | 2010-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101916776A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 陈静;罗杰馨;伍青青;肖德元;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有BTS结构的SOIMOS器件及其制作方法。该SOIMOS器件的源区包括：两个重掺杂N型区、位于两个重掺杂N型区之间的重掺杂P型区、位于两个重掺杂N型区和重掺杂P型区之上的硅化物、以及与该硅化物相连的浅N型区；该重掺杂P型区与其上的硅化物形成欧姆接触，释放SOIMOS器件在体区积累的空穴，从而有效抑制SOIMOS器件的浮体效应，不增加芯片面积，并消除了传统BTS结构降低有效沟道宽度的缺点。制作时先通过离子注入的方法形成重掺杂P型区，再在源区表面形成金属，通过热处理使金属与其下的Si反应生成硅化物。该制造工艺简单与常规CMOS工艺相兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 bts 结构 soimos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有BTS结构的SOIMOS器件，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底之上的绝缘埋层、位于所述绝缘埋层之上的有源区、以及位于所述有源区周围的浅沟槽隔离结构；所述有源区包括：栅区、位于所述栅区之下的体区、位于所述体区两端的N型源区和N型漏区；在所述栅区周围设有侧墙隔离结构；所述N型源区包括：两个重掺杂N型区、位于所述两个重掺杂N型区之间的重掺杂P型区、位于所述两个重掺杂N型区和重掺杂P型区之上并与它们相接触的硅化物、以及与所述硅化物相连的浅N型区；所述重掺杂P型区与所述两个重掺杂N型区、浅沟槽隔离结构、体区以及其上的硅化物相接触。
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