[发明专利]高性能平面浮栅闪存器件结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201010227176.2 | 申请日： | 2010-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102315223A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 霍宗亮;刘明;姜丹丹;龙世兵;王琴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/49;H01L21/8247;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高性能平面浮栅闪存器件结构，该结构包括：硅衬底(1)；在硅衬底(1)上重掺杂的源导电区(7)和漏导电区(8)；覆盖在源导电区(7)与漏导电区(8)之间热载流子沟道上的二氧化硅隧穿介质层(2)；覆盖在二氧化硅隧穿介质层(2)上的由多晶硅浮栅(3)以及金属薄膜(4)堆叠而成的复合浮栅存储层；覆盖在复合浮栅存储层上的多层薄膜介质构成的阻塞介质层(5)；以及覆盖在阻塞介质层(5)上的控制栅(6)。本发明还公开了一种高性能平面浮栅闪存器件结构的制作方法。利用本发明，扩大了浮栅存储单元的存储窗口，提高了电荷保持特性。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 平面 闪存 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高性能平面浮栅闪存器件结构，其特征在于，该结构包括：硅衬底(1)；在硅衬底(1)上重掺杂的源导电区(7)和漏导电区(8)；覆盖在源导电区(7)与漏导电区(8)之间热载流子沟道上的二氧化硅隧穿介质层(2)；覆盖在二氧化硅隧穿介质层(2)上的由多晶硅浮栅(3)以及金属薄膜(4)堆叠而成的复合浮栅存储层；覆盖在复合浮栅存储层上的由多层薄膜介质构成的阻塞介质层(5)；以及覆盖在阻塞介质层(5)上的控制栅(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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