[发明专利]有序多孔氧化铝薄膜-透明导电玻璃复合基底的制备方法无效
| 申请号： | 201010230837.7 | 申请日： | 2010-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101899644A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 姜传海;任鑫;李东栋 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/58;C25D11/04;C25D11/24 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种导电材料技术领域的有序多孔氧化铝薄膜及其透明导电玻璃复合基底的制备方法，通过磁控溅射法在透明导电玻璃上分别沉积钛层、钨层和铝层，然后对溅射得到的铝层进行退火热处理和阳极氧化处理，得到多孔阳极氧化铝膜，最后对多孔阳极氧化铝膜进行扩孔与氧化阻挡层的去除，制备得到有序多孔氧化铝薄膜。本发明实现了溅射后铝层的应力消除，增强了铝层、钨层、钛层与透明导电玻璃基底之间的结合力，从而避免了铝阳极氧化时的鼓泡、脱落现象，在透明导电玻璃上制备出高度有序的多孔氧化铝薄膜，且孔径在40-80nm范围内精确可控。 | ||
| 搜索关键词： | 有序 多孔 氧化铝 薄膜 透明 导电 玻璃 复合 基底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种有序多孔氧化铝薄膜及其透明导电玻璃复合基底的制备方法，其特征在于，通过磁控溅射法在透明导电玻璃上分别沉积钛层、钨层和铝层，然后对溅射得到的铝层进行退火热处理和阳极氧化处理，得到多孔阳极氧化铝膜，最后对多孔阳极氧化铝膜进行扩孔与氧化阻挡层的去除，制备得到有序多孔氧化铝薄膜。
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