[发明专利]陶瓷衬底的层薄膜器件及生产方法无效
申请号: | 201010234211.3 | 申请日: | 2010-07-20 |
公开(公告)号: | CN102339892A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 张桓棠;陈聪 | 申请(专利权)人: | 中晶(香港)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/048 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张春媛;阎娬斌 |
地址: | 中国香港九龙尖沙咀科*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | 陶瓷衬底的层薄膜器件及生产方法。本发明提供一生产太阳能电池的方法。此方法包括提供的晶体硅衬底可以是单晶或多晶,此衬底的厚度确定为第一厚度,包含了第一面和第二面,第一面是在第二面的对面。此方法亦包含在第一厚度内形成一分隔区域,此分隔区域包含氢元素和化合物分子及基本上并行于第一面,亦在厚度内确定了首部份与次部份,首部份是包括在从第一面开始的第二厚度内。另外,此方法包含在第一面提供一模子结构,此模子结构确定了一支撑区域。再者,此方法包含在支撑区域内形成一层陶瓷物料。此外,此方法包含次部份的移除。而且此方法包含在首部份形成电子器件。最后,本发明提供太阳能瓷砖的太阳能电池的封装结构及连接器。 | ||
搜索关键词: | 陶瓷 衬底 薄膜 器件 生产 方法 | ||
【主权项】:
一种生产硅太阳能电池的方法,包括:提供一晶体硅衬底,此衬底的厚度为第一厚度,包含了第一面和第二面,第一面是在第二面的对面;在第一厚度形成一分隔区域,此分隔区域包含氢元素和化合物分子,基本上并行於第一面,此分隔区域在厚度内确定了首部份与次部份,首部份是在由第一面开始的第二厚度之间;在第一面提供了一模子结构,此模子结构确定了一支撑区域;在支撑区域内形成一层陶瓷物料;移除模子结构;移除次部份;与在首部份形成电子器件,此电子器件包括光伏器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的