[发明专利]陶瓷衬底的层薄膜器件及生产方法无效

专利信息
申请号: 201010234211.3 申请日: 2010-07-20
公开(公告)号: CN102339892A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 张桓棠;陈聪 申请(专利权)人: 中晶(香港)有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/048
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 张春媛;阎娬斌
地址: 中国香港九龙尖沙咀科*** 国省代码: 中国香港;81
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摘要: 陶瓷衬底的层薄膜器件及生产方法。本发明提供一生产太阳能电池的方法。此方法包括提供的晶体硅衬底可以是单晶或多晶,此衬底的厚度确定为第一厚度,包含了第一面和第二面,第一面是在第二面的对面。此方法亦包含在第一厚度内形成一分隔区域,此分隔区域包含氢元素和化合物分子及基本上并行于第一面,亦在厚度内确定了首部份与次部份,首部份是包括在从第一面开始的第二厚度内。另外,此方法包含在第一面提供一模子结构,此模子结构确定了一支撑区域。再者,此方法包含在支撑区域内形成一层陶瓷物料。此外,此方法包含次部份的移除。而且此方法包含在首部份形成电子器件。最后,本发明提供太阳能瓷砖的太阳能电池的封装结构及连接器。
搜索关键词: 陶瓷 衬底 薄膜 器件 生产 方法
【主权项】:
一种生产硅太阳能电池的方法,包括:提供一晶体硅衬底,此衬底的厚度为第一厚度,包含了第一面和第二面,第一面是在第二面的对面;在第一厚度形成一分隔区域,此分隔区域包含氢元素和化合物分子,基本上并行於第一面,此分隔区域在厚度内确定了首部份与次部份,首部份是在由第一面开始的第二厚度之间;在第一面提供了一模子结构,此模子结构确定了一支撑区域;在支撑区域内形成一层陶瓷物料;移除模子结构;移除次部份;与在首部份形成电子器件,此电子器件包括光伏器件。
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