[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201010236329.X | 申请日： | 2010-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101964343A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 大森宽将 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/77;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 黄纶伟;马建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够提高耐压并简化制造工序的半导体装置。半导体装置(1)具有形成有半导体元件(6)的元件区域(2)和形成于元件区域(2)外周的外周区域(3)。半导体装置(1)具有：n-型漂移区域(12)，其形成于元件区域(2)和外周区域(3)；多个p-型柱状区域(13)，其形成于元件区域(2)的n-型漂移区域(12)；多个p-型柱状耐压提高区域(23n)，其形成于外周区域(3)的n-型漂移区域(12)；以及多个电场缓和区域(24n)，其形成于p-型柱状区域(23n)的上部，电场缓和区域(24n)与相邻的电场缓和区域(24n)之间的间隔(Sn)在外周区域(3)的内侧和外侧不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，该半导体装置具有形成有半导体元件的元件区域和形成于所述元件区域外周的外周区域，其特征在于，该半导体装置具有：第1导电型的第1导电型区域，其形成于所述元件区域和所述外周区域；第2导电型的多个第1柱状区域，其形成于所述元件区域的第1导电型区域；第2导电型的多个第2柱状区域，其形成于所述外周区域的第1导电型区域；以及第2导电型的多个电场缓和区域，其形成于所述第2柱状区域的上部，所述电场缓和区域与相邻的电场缓和区域之间的间隔在所述外周区域的内侧和外侧不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
