[发明专利]用于使图形密度加倍的方法

摘要

本发明涉及用于使图形密度加倍的方法。一种方法在主层上沉积未掺杂的硅层，在所述未掺杂的硅层上沉积帽层，构图在所述帽层上的掩蔽层，并将所述未掺杂的硅层构图成硅芯部。该方法在这样的工艺中将杂质引入所述硅芯部的侧壁中，该工艺使所述硅芯部的侧壁部分掺杂有杂质并使所述硅芯部中的至少一些的中心部分未掺杂。该方法去除所述帽层而留下位于所述主层上的所述硅芯部，并执行选择性材料去除工艺，以去除所述硅芯部的所述中心部分并使所述硅芯部的所述侧壁部分留在所述主层上。该方法使用所述硅芯部的所述侧壁部分作为构图掩模而至少构图所述主层，并且去除所述硅芯部的所述侧壁部分以至少留下构图后的所述主层。

主权项

一种方法，包括：在主层上沉积未掺杂的硅层；在所述未掺杂的硅层上沉积帽层；构图在所述帽层上的掩蔽层，所述掩蔽层具有开口；通过去除由所述掩蔽层中的所述开口暴露的所述未掺杂的硅层的部分和所述帽层的对应部分而将所述未掺杂的硅层构图成硅芯部；去除所述光致抗蚀剂层，以留下位于所述主层上的所述硅芯部以及所述硅芯部上的帽层芯部；在这样的工艺中将杂质引入所述硅芯部的侧壁中，所述工艺使得所述硅芯部的侧壁部分掺杂有杂质并使所述硅芯部中的至少一些的中心部分未掺杂，在单独的硅芯部内，所述硅芯部的所述中心部分位于所述硅芯部的所述侧壁部分之间；去除所述帽层芯部而留下位于所述主层上的所述硅芯部；执行选择性材料去除工艺，以去除所述硅芯部的所述中心部分并使所述硅芯部的所述侧壁部分留在所述主层上；使用所述硅芯部的所述侧壁部分作为构图掩模来至少构图所述主层；以及去除所述硅芯部的所述侧壁部分以至少留下构图后的所述主层。