[发明专利]基准电压电路和电子设备有效
| 申请号： | 201010238059.6 | 申请日： | 2010-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101963819A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 井村多加志 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 黄纶伟;吕俊刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供基准电压电路和电子设备。作为课题，实现一种在不使电源电压变动去除比劣化的情况下，保持低电压工作且消耗电流低的基准电压电路。作为解决手段，利用串联连接的多个耗尽型晶体管来构成ED型基准电压电路的耗尽型晶体管，共源共栅用耗尽型晶体管的栅极端子与ED型基准电压电路的耗尽晶体管的连接点相连。 | ||
| 搜索关键词： | 基准 电压 电路 电子设备 | ||
【主权项】：
一种基准电压电路，该基准电压电路具有：ED型基准电压电路，其具有栅极彼此相连的N沟道耗尽型MOS晶体管和N沟道增强型MOS晶体管；以及共源共栅电路，其设置在电源端子与所述ED型基准电压电路之间，该基准电压电路的特征在于，所述N沟道耗尽型MOS晶体管由串联连接的多个N沟道耗尽型MOS晶体管构成，所述共源共栅电路由栅极与所述串联连接的多个N沟道耗尽型MOS晶体管的连接点中的任一个连接的N沟道耗尽型MOS晶体管构成。
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