[发明专利]发光二极管的封装结构无效
| 申请号： | 201010239742.1 | 申请日： | 2010-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102339944A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 吕英杰;赖志铭 | 申请（专利权）人： | 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600 上海市松江区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种发光二极管的封装结构，包括一导热基板、设置于导热基板上的一晶粒、及将晶粒封装于导热基板上的封装体，该晶粒与导热基板之间设有一金属共晶层，该金属共晶层由镀设在晶粒上的一金属层及镀设导热基板上的另一金属层共晶结合形成。本发明的发光二极管的封装结构将晶粒通过共晶直接结合于导热基板上，从而有效地减小了晶粒与导热基板之间的界面层，使晶粒产生的热量能够直接经由具有导热效率较高的金属共晶层及导热基板传导出去，提高了发光二极管的封装结构的散热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的封装结构，包括一导热基板、设置于导热基板上的一晶粒、及将晶粒封装于导热基板上的封装体，其特征在于：该晶粒与导热基板之间设有一金属共晶层，该金属共晶层由镀设在晶粒上的一金属层及镀设导热基板上的另一金属层共晶结合形成。
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