[发明专利]掺杂方法和制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201010241076.5 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101996870A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 河野正洋;町田暁夫;藤野敏夫 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/263;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 武玉琴;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掺杂方法以及采用该掺杂方法的半导体器件的制造方法。该掺杂方法包括以下步骤：将含有锑化合物的材料溶液施用到基板表面上，所述锑化合物含有锑以及选自氢、氮、氧和碳的元素；使得所述材料溶液干燥，从而在所述基板上形成锑化合物层；以及进行热处理，从而使得所述锑化合物层中的锑扩散到所述基板中。根据本发明的掺杂方法可以与非真空低温工艺兼容，还能够在不损失半导体性能的情况下高精度控制杂质掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 方法 制造 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种掺杂方法，该方法包括以下步骤：第一步骤，将含有锑化合物的材料溶液施用到基板表面上，所述锑化合物含有锑以及选自氢、氮、氧和碳的元素；第二步骤，使得所述材料溶液干燥，从而在所述基板上形成锑化合物层；以及第三步骤，进行热处理，从而使得所述锑化合物层中的锑扩散到所述基板中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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