[发明专利]电压产生电路以及存储器有效
| 申请号： | 201010241576.9 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101908365A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了电压产生电路以及存储器。电压产生电路包括：正输入端连接至第一电源电压的比较器；第一和第二分压电阻器；第一PMOS晶体管，其栅极连接至所述比较器的输出端，源极连接至第二电源电压；第二PMOS晶体管，其源极连接至第一PMOS晶体管的漏极，栅极连接至第二PMOS晶体管的漏极以及第一分压电阻器的第二连接端；第一补偿电阻器，其第一连接端连接至所述第一PMOS晶体管的漏极；第一NMOS晶体管，其栅极连接至第一补偿电阻器的第二连接端，源极连接至第一补偿电阻器的第一连接端，补偿装置，用于补偿第一电源电压的变化以及温度的变化。本发明提供的电压产生电路通过提供第二PMOS晶体管、NMOS晶体管、补偿电阻器，补偿了工艺、电压和温度的变化。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 产生 电路 以及 存储器 | ||
【主权项】：
一种电压产生电路，包括：比较器(G)，所述比较器(G)的正输入端连接至第一电源电压(VDD)；第一分压电阻器(R11)，所述第一分压电阻器(R11)的第一连接端连接至所述比较器(G)的负输入端；第二分压电阻器(R22)，所述第二分压电阻器(R22)的第一连接端接地，并且所述第二分压电阻器(R22)的第二连接端连接至所述第一分压电阻器(R11)的第一连接端；第一PMOS晶体管(MP1)，所述第一PMOS晶体管(MP1)的栅极连接至所述比较器(G)的输出端，所述第一PMOS晶体管(MP1)的源极连接至第二电源电压；以及第二PMOS晶体管(MP2)，所述第二PMOS晶体管(MP2)的源极连接至所述第一PMOS晶体管(MP1)的漏极，所述第二PMOS晶体管(MP2)的栅极连接至所述第二PMOS晶体管(MP2)的漏极以及所述第一分压电阻器(R11)的第二连接端。
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