[发明专利]半导体发光装置制造方法有效
| 申请号： | 201010243804.6 | 申请日： | 2010-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101989573A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 滨崎浩史;小岛章弘;杉崎吉昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L33/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 蔡胜利 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一个实施方式，一种半导体发光装置制造方法包括在基板主表面上形成分离沟槽。包括发光层的半导体层被形成在基板上。分离沟槽将半导体层分离为多个元件。该方法包括在基板主表面上形成绝缘膜。绝缘膜覆盖半导体层和位于基板上的分离沟槽底表面。该方法包括通过从与主表面相反的基板表面用激光照射半导体层而将基板从半导体层分开。激光照射区域的边缘部分靠近与分离沟槽邻接的半导体层边缘部分定位。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光装置制造方法，包括：在形成有包括发光层的半导体层的基板主表面上形成分离沟槽，分离沟槽将半导体层分隔为多个元件；在基板主表面上形成绝缘膜，绝缘膜覆盖半导体层并且覆盖所述分离沟槽的位于基板上的底表面；以及通过从与所述主表面相反的基板表面用激光照射半导体层而将基板从半导体层分离，激光照射区域的边缘部分靠近与分离沟槽邻接的半导体层边缘部分定位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
