[发明专利]发光器件无效
| 申请号： | 201010244098.7 | 申请日： | 2010-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101997086A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 中村弘史;卢星熙;山田二郎 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种发光器件，包括：(A)第一电极，(B)导体膜，(C)有机层，其中设置有由有机发光材料制成的发光层，(D)半透射反射膜，(E)电阻层，以及(F)第二电极，顺次层压上述所有层，其中，导体膜使来自发光层的一部分光透过，第一电极反射已经透过导体膜的光，第二电极使已经透过半透射反射膜的光透过，第一电极上的导体膜的平均膜厚度为1nm到6nm，并且有机层上的半透射反射膜的平均膜厚度为1nm到6nm。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：(A)第一电极，(B)导体膜，(C)有机层，其中设置有由有机发光材料制成的发光层，(D)半透射反射膜，(E)电阻层，以及(F)第二电极，顺次层压上述所有层，其中所述导体膜使来自所述发光层的一部分光透过，所述第一电极反射已经透过所述导体膜的光，所述第二电极使已经透过所述半透射反射膜的光透过，所述第一电极上的所述导体膜的平均膜厚度为1nm到6nm，并且所述有机层上的所述半透射反射膜的平均膜厚度为1nm到6nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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