[发明专利]与沟槽-栅极DMOS兼容的集成保护式肖特基二极管结构及方法无效
| 申请号： | 201010244364.6 | 申请日： | 2010-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102074501A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | F·希伯特;D·A·吉尔达 | 申请（专利权）人： | 英特赛尔美国股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 与沟槽-栅极DMOS兼容的集成保护式肖特基二极管结构及方法。多个晶体管单元，每个可以包括晶体管P-体区域和肖特基二极管，其中晶体管P-体区域可以形成于肖特基二极管之下，以提供具有期望的电学特性的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 栅极 dmos 兼容 集成 保护 式肖特基 二极管 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体器件的方法，包括：对半导体基板进行蚀刻以在其中形成沟槽，所述沟槽包括第一侧壁、第二侧壁和底部；将具有第一类导电性的掺杂剂注入到沟槽底部的半导体基板中以及沟槽的第一侧壁和第二侧壁中以形成体接触区域；穿透沟槽底部的体接触区域的厚度进行蚀刻以除去经注入的体接触区域的一部分，使得经注入的体接触区域的第一部分和第二部分分别保持在第一和第二侧壁中，其中经注入的体接触区域的第一部分和第二部分被设置在肖特基二极管区域和晶体管栅极位置之间；以及用具有与第一类导电性相反的第二类导电性的掺杂剂注入沟槽底部的半导体基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
