[发明专利]用于制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201010245435.4 | 申请日： | 2010-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102347206A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 孙武;尹晓明;张海洋;周俊卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于制作半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有前端器件结构，并且在所述前端器件结构上形成有低介电常数介电层；在所述低介电常数介电层上形成具有图案的掩蔽层；以所述掩蔽层作为掩膜，蚀刻所述低介电常数介电层，以露出所述低介电常数介电层的至少一部分侧壁；用气体对所述至少一部分侧壁进行吹扫；以及去除所述掩蔽层。根据本发明的方法能够减小在等离子灰化工艺过程中对低介电常数介电层造成的损伤，从而能够改善其中形成的沟槽的剖面形貌，并且提高半导体器件的整体电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制作半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有前端器件结构，并且在所述前端器件结构上形成有低介电常数介电层；在所述低介电常数介电层上形成具有图案的掩蔽层；以所述掩蔽层作为掩膜，蚀刻所述低介电常数介电层，以露出所述低介电常数介电层的至少一部分侧壁；用气体对所述至少一部分侧壁进行吹扫；以及去除所述掩蔽层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
