[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 201010248214.2 | 申请日： | 2010-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102376858A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 赖志铭 | 申请（专利权）人： | 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600 上海市松江区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括一基板、结合于该基板上的一LED芯片、封装该LED芯片的一封装体及设置在该封装体外侧表面上的一荧光粉层，该LED芯片的出射光的光强I相对于出射角θ呈朗伯分布，即出射光的光强I与出射角θ满足：I＝I0xcosθ，0°≤θ≤90°；其中，I0为该LED芯片中心轴处出射光的光强，出射角θ为出射光与中心轴的夹角，该荧光粉层中荧光粉的浓度、数目或厚度相对于出射角θ也呈朗伯分布。本发明的LED内荧光粉层中荧光粉的浓度、数目或厚度与LED芯片的出射光的光强相对于出射光的出射角均呈现朗伯分布，使整个LED出射光的色温具有在各个角度均匀分布的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括一基板、结合于该基板上的一LED芯片及封装该LED芯片的一封装体，其特征在于：该发光二极管该还包括设置在该封装体外侧表面上的一荧光粉层，该LED芯片的出射光的光强I相对于出射角θ呈朗伯(Lambertian)分布，即出射光的光强I与出射角θ满足：I＝I0xcosθ，0°≤θ≤90°；其中，I0为该LED芯片中心轴处出射光的光强，出射角θ为出射光与中心轴的夹角，该荧光粉层中荧光粉的浓度、数目或厚度相对于出射角θ也呈朗伯分布。
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