[发明专利]电池级四氧化三钴的制备方法

摘要

本发明涉及一种电池级四氧化三钴的制备方法，包括以下步骤：用去离子水将钴原料和沉淀剂分别配成钴溶液；采用匀相晶化沉淀法制备前驱体，即将配制一定浓度的钴溶液和沉淀剂溶液按一定摩尔比用包括并流加料法加入反应容器，通过控制反应温度、加料速度、pH值和搅拌速度等参数，有效控制前驱体化学杂质和晶体结晶度、粒度、密度等，合成得到沉淀物前驱体；经洗涤，脱水，直接将含水滤饼装钵，采用低温脱水相变焙解再经过高温球化煅烧控制晶粒度和晶体形貌；然后经机械粉碎分级活化处理；最后进行磁性金属异物的去除，最终得到类球形电池级四氧化三钴，其密度高、化学纯度高、晶粒大小易控制、粒度组成均匀、分布窄、磁性金属异物含量少。

主权项

一种电池级四氧化三钴的制备方法，包括以下步骤：a)用去离子水将钴原料配成钴含量为50g/L～120g/L的钴溶液；b)将沉淀剂溶解于去离子水中，配制成80g/L～230g/L沉淀剂溶液；c)将所述钴溶液和所述沉淀剂溶液按摩尔比，钴∶沉淀剂＝1.0∶2.0～4.0，用包括并流加料法加入反应容器，控制反应温度为25℃～100℃，反应过程中PH值为6.0～9.0，搅拌速度为30rpm～500rpm，以匀相晶化沉淀法制得钴盐的沉淀物为钴盐前驱体；d)将所述钴盐前躯体用60℃以上去离子水洗涤后脱水，控制滤饼含水量＜30％，直接将所述含水滤饼装钵；e)将所述钵体送入焙解炉，采用低温脱水相变、高温球化煅烧的方式，将所述钴盐前躯体在250℃～1000℃煅烧；f)将步骤e)得到的煅烧产物进行机械粉碎分级活化处理，控制颗粒度以及粒度分布，进行粒子表面修饰，得到高密度、单分散、类球形的电池级四氧化三钴，所述电池级四氧化三钴的粒度为D10≥1μm，D50：2.0～6.0μm，D97≤10μm；g)将步骤f)中得到的所述电池级四氧化三钴通过除铁器去除磁性金属异物，控制磁性金属异物的含量在1ppm以下，从而得到高品质的所述电池级四氧化三钴。