[发明专利]针对嵌入式存储器优化的EEPROM存储器体系架构有效
| 申请号： | 201010250094.X | 申请日： | 2010-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101937713A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | F·拉罗萨 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;李家麟 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及针对嵌入式存储器优化的EEPROM存储器体系架构。本发明涉及一种电可擦除可编程存储器(MEM1)，包括用于存储每个具有N个比特位的字的数行存储单元(MC)，位线(BL)和字线(WL)，其中存储单元行包括用于存储集中可擦除字的第一组(G1)存储单元，和用于存储一个单独可擦除字的至少一个第二组(G2)存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 针对 嵌入式 存储器 优化 eeprom 体系 架构 | ||
【主权项】：
一种电可擦除可编程存储器(MEM，MEM1，MEM2，MEM3)，包括：数行存储单元(MC)，其被配置成存储N比特位的字，位线(BL)和字线(WL)，以及，其中存储单元包括：选择晶体管(ST)，其具有连接到字线的控制端(G)和连接到位线的传导端(D)，和浮栅晶体管(FGT)，其具有用于接收擦除电压(Vpp)的控制栅极端(G)，其特征在于，存储单元行包括：第一组(G1)存储单元，用于存储集中可擦除字，和至少一个第二组(G2)存储单元，用于存储一个单独可擦除字。
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