[发明专利]硅穿孔的形成方法有效
| 申请号： | 201010250741.7 | 申请日： | 2010-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102208342A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 陈明发;林宜静 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅穿孔(TSV)的形成方法。在一实施例中，该方法包括在接触开口与TSV开口中形成导电层，之后以一道化学机械研磨工艺去除接触开口与TSV开口以外的导电材料，以分别形成接触插塞与TSV结构。本发明的硅穿孔的形成方法同时进行接触插塞与TSV的填充工艺与化学机械研磨。除了具有以单一步骤进行化学机械研磨的优点的外，以单一步骤进行金属填充工艺可进一步降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 穿孔 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种硅穿孔的形成方法，包括：提供一半导体基底，其具有第一区与第二区；形成一介电层于该半导体基底上，其中该介电层于该第一区具有一第一开口；形成一第一导电层于该介电层上且填入该第一开口；形成一第二开口于该第二区且延伸穿过该第一导电层、该介电层、及部分的该半导体基底，其中该第二开口具有侧壁与底部；形成一保护层于该第一导电层上且顺应性覆盖该第二开口的侧壁与底部；形成一第二导电层于该保护层上且填入该第二开口；以及去除位于该第一、第二开口以外的该第二导电层、该保护层、及该第一导电层，其中残留于该第二开口内的该第二导电层形成一硅穿孔结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010250741.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
