[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010250744.0 | 申请日： | 2010-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102237390A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 沈明辉;刘世昌;蔡嘉雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包含：一底电极接触形成于一基底之上；一介电层形成于该底电极接触之上；一加热元件形成于该介电层中，其中该加热元件配置于二个气隙之间，且该气隙将该加热元件与该介电层分隔；以及，一相变化元件形成于该加热元件之上，其中该相变化元件包含一实质上非晶质背材及一有源区，该有源区能在非晶质及结晶相间进行相变化。本发明能够改善该相变化元件的隔热性质。此外，可有效降低用以使该有源区进行相变化形成非晶质态的重置电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包含：一底电极接触形成于一基底之上；一介电层形成于该底电极接触之上；一加热元件形成于该介电层中，其中该加热元件配置于二个气隙之间，且该气隙将该加热元件与该介电层分隔；以及一相变化元件形成于该加热元件之上，其中该相变化元件包含一实质上非晶质背材及一有源区，该有源区能在非晶质及结晶相间进行相变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
